部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究
其他题名research on the total dose irradiation effect of partial-depletion-silicon-on insulator static random access memory
李明; 余学峰; 薛耀国; 卢健; 崔江维; 高博
2012
发表期刊物理学报
ISSN1000-3290
卷号61期号:10页码:323-329
摘要

通过分析部分耗尽绝缘层附着硅互补金属氧化物半导体静态随机存储器(SRAM)在动态偏置条件下的电学参数和功能参数随累积剂量的变化规律,研究了绝缘层附着硅(SOI)工艺SRAM器件在~(60)Co-γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应及器件敏感参数与功能错误数之间的相关性,为进一步深入研究大规模SOI集成电路的抗总剂量辐射加固及其辐射损伤评估提供了可能的途径和方法.实验结果表明:辐射引起的场氧和埋氧漏电是功耗电流增大的主要原因;阈值电压漂移造成输出高电平下降、低电平微小上升和峰-峰值大幅降低,以及传输延迟增大;当总剂量累积到一定程度,逻辑功能因关断功能的失效而出现突变错误;传输延迟和输出高电平与逻辑功能错误之间存在一定相关性.

关键词部分耗尽绝缘层附着硅 静态随机存储器 总剂量效应 功耗电流
收录类别SCI
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1506
专题新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院
推荐引用方式
GB/T 7714
李明,余学峰,薛耀国,等. 部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究[J]. 物理学报,2012,61(10):323-329.
APA 李明,余学峰,薛耀国,卢健,崔江维,&高博.(2012).部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究.物理学报,61(10),323-329.
MLA 李明,et al."部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究".物理学报 61.10(2012):323-329.
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