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题名: 部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究
其他题名: research on the total dose irradiation effect of partial-depletion-silicon-on insulator static random access memory
作者: 李明; 余学峰; 薛耀国; 卢健; 崔江维; 高博
关键词: 部分耗尽绝缘层附着硅 ; 静态随机存储器 ; 总剂量效应 ; 功耗电流
刊名: 物理学报
发表日期: 2012
卷: 61, 期:10, 页:323-329
摘要: 通过分析部分耗尽绝缘层附着硅互补金属氧化物半导体静态随机存储器(SRAM)在动态偏置条件下的电学参数和功能参数随累积剂量的变化规律,研究了绝缘层附着硅(SOI)工艺SRAM器件在~(60)Co-γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应及器件敏感参数与功能错误数之间的相关性,为进一步深入研究大规模SOI集成电路的抗总剂量辐射加固及其辐射损伤评估提供了可能的途径和方法.实验结果表明:辐射引起的场氧和埋氧漏电是功耗电流增大的主要原因;阈值电压漂移造成输出高电平下降、低电平微小上升和峰-峰值大幅降低,以及传输延迟增大;当总剂量累积到一定程度,逻辑功能因关断功能的失效而出现突变错误;传输延迟和输出高电平与逻辑功能错误之间存在一定相关性.
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1506
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部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究.pdf(571KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院

Recommended Citation:
李明,余学峰,薛耀国,等. 部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究[J]. 物理学报,2012,61(10):323-329.
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