中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷
其他题名use the subthreshold-current technique to separate radiation induced defects in gate controlled lateral pnp bipolar transistors
席善斌; 陆妩; 王志宽; 任迪远; 周东; 文林; 孙静
2012
发表期刊物理学报
ISSN1000-3290
卷号61期号:7页码:350-355
摘要

设计并制作了一种新型双极测试结构,即在常规横向pnp双极晶体管基区表面氧化层上淀积一栅电极,通过扫描栅极所加电压,获得漏极(集电极)电流随栅极电压的变化特性,利用中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管在辐照过程中感生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷.本文对设计的晶体管测试结构和采用的测试方法做了具体介绍.

关键词中带电压法 栅控 横向pnp双极晶体管 电荷分离
收录类别SCI ; CSCD
CSCD记录号CSCD:4561555
引用统计
被引频次:2[CSCD]   [CSCD记录]
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1494
专题新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院;模拟集成电路国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
席善斌,陆妩,王志宽,等. 中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷[J]. 物理学报,2012,61(7):350-355.
APA 席善斌.,陆妩.,王志宽.,任迪远.,周东.,...&孙静.(2012).中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷.物理学报,61(7),350-355.
MLA 席善斌,et al."中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷".物理学报 61.7(2012):350-355.
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