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题名: 中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷
其他题名: use the subthreshold-current technique to separate radiation induced defects in gate controlled lateral pnp bipolar transistors
作者: 席善斌; 陆妩; 王志宽; 任迪远; 周东; 文林; 孙静
关键词: 中带电压法 ; 栅控 ; 横向pnp双极晶体管 ; 电荷分离
刊名: 物理学报
发表日期: 2012
卷: 61, 期:7, 页:350-355
摘要: 设计并制作了一种新型双极测试结构,即在常规横向pnp双极晶体管基区表面氧化层上淀积一栅电极,通过扫描栅极所加电压,获得漏极(集电极)电流随栅极电压的变化特性,利用中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管在辐照过程中感生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷.本文对设计的晶体管测试结构和采用的测试方法做了具体介绍.
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1494
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中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷.pdf(626KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院;模拟集成电路国家重点实验室

Recommended Citation:
席善斌,陆妩,王志宽,等. 中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷[J]. 物理学报,2012,61(7):350-355.
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