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题名: 不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应
作者: 卢健; 余学峰; 李明; 张乐情; 崔江维; 郑齐文; 胥佳灵
关键词: 静态随机存储器 ; 总剂量效应 ; 不同偏置条件 ; 辐射损伤 ; 印记现象
刊名: 核技术
发表日期: 2012
期: 8, 页:601-605
摘要: 通过对CMOS SRAM器件在7种不同的偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射总剂量效应的研究,获得了不同偏置条件下SRAM器件功耗电流和功能出错数随累积剂量的响应关系。实验结果表明偏置条件对SRAM器件辐射损伤情况有较大影响,相对5种静态偏置,动态读写偏置所受辐射损伤较不敏感,其功能失效阈值也较大;SRAM总剂量效应存在印记现象,辐照时器件存储状态对辐照损伤有一定影响。
内容类型: 期刊论文
URI标识: http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1357
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不同偏置下CMOSSRAM辐射损伤效应.pdf(692KB)期刊论文作者接受稿开放获取View 联系获取全文

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院;新疆大学

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卢健,余学峰,李明,等. 不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应[J]. 核技术,2012(8):601-605.
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