不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应
卢健; 余学峰; 李明; 张乐情; 崔江维; 郑齐文; 胥佳灵
2012
发表期刊核技术
ISSN0253-3219
卷号35期号:8页码:601-605
摘要

通过对CMOS SRAM器件在7种不同的偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射总剂量效应的研究,获得了不同偏置条件下SRAM器件功耗电流和功能出错数随累积剂量的响应关系。实验结果表明偏置条件对SRAM器件辐射损伤情况有较大影响,相对5种静态偏置,动态读写偏置所受辐射损伤较不敏感,其功能失效阈值也较大;SRAM总剂量效应存在印记现象,辐照时器件存储状态对辐照损伤有一定影响。

关键词静态随机存储器 总剂量效应 不同偏置条件 辐射损伤 印记现象
收录类别CSCD
CSCD记录号CSCD:4604230
引用统计
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1357
专题新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室
材料物理与化学研究室
作者单位中国科学院新疆理化技术研究所;新疆电子信息材料与器件重点实验室;中国科学院研究生院;新疆大学
推荐引用方式
GB/T 7714
卢健,余学峰,李明,等. 不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应[J]. 核技术,2012,35(8):601-605.
APA 卢健.,余学峰.,李明.,张乐情.,崔江维.,...&胥佳灵.(2012).不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应.核技术,35(8),601-605.
MLA 卢健,et al."不同偏置下CMOS SRAM辐射损伤效应".核技术 35.8(2012):601-605.
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