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Fluorine doping effects on the electric property of BiFeO<inf>3</inf> thin films [会议论文]
2014 International Conference on Mechatronics, Materials and Manufacturing, ICMMM 2014, Chengdu, China, August 2, 2014 - August 4, 2014
XuFang Long; ZhaoPeng Jun; ZhangJia Qi; XiongXin Qian
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超深亚微米S0I NMOSFET关态应力下的热载流子效应 [会议论文]
第十届全国博士生学术年会, 济南, 2012
郑齐文; 余学峰; 崔江维
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crystal growth and nonlinear optical coefficients of bi 2znob2o6 [会议论文]
Li Feng; Pan Shilie
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CCD在不同通量电子辐照下的损伤机理研究 [会议论文]
第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会, 贵阳, 2010
李豫东; 郭旗; 陆妩; 余学峰; 何承发; 李茂顺; 兰博
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星载DC/DC电源转换器总剂量效应研究 [会议论文]
第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会, 贵阳, 2010
高博; 余学峰; 任迪远; 吾勤之; 刘伟鑫; 李豫东; 李茂顺; 崔江维; 王义元
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凝胶剂量计调强放射治疗三维剂量验证初探 [会议论文]
第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会, 贵阳, 2010
王飞; 许发月; 李明; 何承发; 杨进; 于飞; 刘艳; 赵云; 孙玉润; 周东; 席善斌
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SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤效应研究 [会议论文]
第十五届全国核电子学与核探测技术学术年会, 贵阳, 2010
高博; 余学峰; 任迪远; 李豫东; 崔江维; 李茂顺; 李明; 王义元
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国产VDMOS器件总剂量辐射损伤及退火效应研究 [会议论文]
中国核学会2009年学术年会, 北京, 2009
高博; 余学峰; 任迪远; 刘刚; 王义元; 孙静; 文林; 李茂顺; 崔江维
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不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应 [会议论文]
中国核学会2009年学术年会, 北京, 2009
陈睿; 陆妩; 任迪远; 郑玉展; 王义元; 费武雄; 李茂顺; 兰博
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不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响 [会议论文]
中国核学会2009年学术年会, 北京, 2009
费武雄; 赵云; 王志宽; 杨永晖; 陆妩; 任迪远; 郑玉展; 王义元; 陈睿; 李茂顺; 兰博; 崔江维
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工作状态对JFET输入运算放大器辐射损伤的影响 [会议论文]
中国核学会2009年学术年会, 北京, 2009
郑玉展; 陆妩; 任迪远; 王义元; 陈睿; 费武雄
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光致荧光辐射剂量测量方法研究 [会议论文]
中国核学会2009年学术年会, 北京, 2009
陈朝阳; 范艳伟; 巴维真; 刘秋江; 刘艳平; 汤新强; 郭旗
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国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET总剂量辐照及退火效应研究 [会议论文]
中国核学会2009年学术年会, 北京, 2009
崔江维; 余学峰; 刘刚; 李茂顺; 高博; 兰博; 赵云; 费武雄; 陈睿
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γ射线在不同材料吸收剂量换算的Monte Carlo模拟 [会议论文]
中国核学会2009年学术年会, 北京, 2009
何承发; 郭旗; 陆妩; 任迪远; 余学峰; 文林; 孙静; 赵云
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